产品世界
产品系列完备，打通粗碎、中碎、细碎和超细碎作业
VSI家族与VU骨料优化系统共担精品机制砂制备重任
碳化硅轴
2022-06-15T11:06:20+00:00
上汽800V SIC电轴为什么值得关注？懂车帝
2023年9月18日 01# 尺寸 这颗电轴的长宽高分别为 515*485*316 mm，重量只有 898 kg，这个体积和重量与目前 200 kW 左右的 400V 电机相当。 这带来的好处就是，对车 橡胶波纹管和O型圈材料有NBR,FKM, Epdm, 反应烧结碳化硅机械密封环 995%氧化铝陶瓷轴和套筒 无压烧结碳化硅机械密封环 碳化钨 (硬质合金）机械密封环 石墨机械密封 碳化硅轴无压烧结碳化硅轴反应烧结碳化硅轴陶瓷轴995%
碳化硅（SSIC）全陶瓷轴承上海堃旌轴承有限公司
碳化硅全陶瓷轴承套圈及滚动体采用无压碳化硅（SSIC）陶瓷材料，保持器使用PTFE作为标准配置，相比较氧化锆轴承材料，可适用于更高的温度及更苛刻的腐蚀性环境。 应用领 碳化硅 碳化硅陶瓷球轴承 它使用碳硅粉并经过热等静压工艺。 里面没有细小颗粒，外表面有一层地表层。 较易磨损的轴承球的球体运动为00825RW，体积为008～25RW，面积 碳化硅碳化硅陶瓷球轴承 上海佰仕彼得轴承制造有限公司
3M™ 碳化硅滑动轴承 3M 中国
3M™碳化硅滑动轴承常用于工业和工艺泵应用，适用于密闭密封的离心泵和搅拌器。 联系3M专家碳化硅轴套 我要定制 查看详情 碳化硅轴承 我要定制 查看详情 反应烧结碳化硅 我要定制 查看详情 耐腐泵用轴套 我要定制 查看详情 无压烧结碳化硅制品 我要定制 查看详情 消费 碳化硅轴碳化硅轴套碳化硅密封环南通盛远陶瓷科技有限公司
中国科学院力学研究所机构知识库(IMECHIR): 大尺寸碳化硅
2021年5月19日 通过大尺寸碳化硅晶体模型化研究，探索影响碳化硅晶体生长的因素。 同时通过对单轴压缩状态下在压缩方向上等效杨氏模量的分析，给出了碳化硅晶体压缩方向上的等效杨氏模量与偏离角以及温度的函数关系，并发现在温度1292 ° 2022年9月6日 四、碳化硅产业现状 1、中国碳化硅产量分为黑碳化硅和绿碳化硅，2020年中国黑碳化硅产量为75万吨，绿碳化硅产量为105万吨，2021年中国黑碳化硅产量为90万吨，绿碳化硅为11万吨，产量相继上 碳化硅行业发展现状如何？一文读懂碳化硅产量、良率
碳化硅(SiC)如何区分硅(Si)面和碳（C)面 知乎
2023年7月29日 该晶面被称为“Si面”，而在(0001) 晶面上，四面体键合的C原子的一个化学键是沿c轴() 指向的， 切换模式 写文章 登录/注册 碳化硅(SiC)如何区分硅(Si)面和碳（C)面 一生戎装 天津理工大学 工学硕士 4HSiC属于六方晶系，在(0001)晶面上 2021年1月29日 1 晶面指数系统一个晶面的取向可以由这个晶面上的任意三个不共线的点确定。如果这三个点处在不同的晶轴上，则通过由晶格常量 \vec a1，\vec a2，\vec a3 表示的这些点的坐标就能标定它们所决定的晶面。然而，晶体晶向和晶面指数系统 知乎
让新能源汽车电机更小更轻的碳化硅，在中国发展情况怎么样
2020年11月25日 碳化硅（SiC）电力电子器件将替代IGBT——这是英飞凌、罗姆等国际知名企业一致观点。 该观点获得了全球电驱动领域普遍认同。中国科学院院士欧阳明高曾表示，在驱动电机方面，碳化硅将取代IGBT。 继中车、比亚迪的2022年10月31日 从下表参数看，4H SiC 本征载流子浓度 和电子迁移率都比6H SiC高很多。 更高的电子迁移率un ，可以得到 更高的 电流密度 ，或者相同电流密度的情况下，得到 更低的 导通电阻 。 而且4H VDMOS的开关速度比6H SiC电压上升时间更短，因此 开关速度更快 ， 更适合做 为什么要用4HSiC？ 知乎
半导体物理与器件笔记（一）——晶体结构 知乎
2023年8月21日 补充知识：三重轴：晶体绕该轴旋转120度或240度后，晶体与自身重合。 二重轴：晶体绕该轴旋转180度后，晶体与自身重合。 六重轴：晶体绕该轴旋转60度或其整数倍后，晶体与自身重合。补充知识：单晶硅和多晶硅的禁带宽度分别是多少？2022年8月11日 碳化硅具有良好的化学稳定性，可以应用于各种腐蚀性强的酸碱性介质中，因此可用于腐蚀性介质的机械密封。腐蚀磨损是引起摩擦副材料失效的主要形式，热压烧结碳化硅在氧化气氛中表层生成一种保护性的二氧化硅膜，即使在900℃仍具有很好的化学稳定性，耐腐蚀性较强。碳化硅在机械密封中的应用 知乎
上汽800V SIC电轴为什么值得关注？懂车帝
2023年9月18日 800V碳化硅电轴 搭载先进 碳纤维转子电机 也将是上汽未来的动力技术支撑。从性能上来看，这种全新的动力系统电轴性能可以提升10%，可以将整车百公里加速时间缩短至3s以内。此外，通过使用碳纤维材料，电机转子的可靠性和寿命得到大幅度 2023年1月18日 碳化硅：是“大饼”，还是下一个被卡的脖子 2018年，Tesla率先在自家Model 3的逆变器上，搭载了意法半导体提供的650V 碳化硅（SiC）MOSFET，开启了一众汽车厂商踊跃加入SiC大军的局面。 笔者当年也接触过SiC的相关项目，听一口操着台湾腔的口音，悉数碳化硅器件 碳化硅：是“大饼”，还是下一个被卡的脖子 知乎
第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎
2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清洗等加工工序， 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 2022年11月4日 本文对电阻加热式 8 英寸 (1 英寸 = 2 54 cm)碳化硅大尺寸晶体生长系统展开热场设计研究。 首先建立描述碳化硅原料受热分解热质输运及其多孔结构演变、系统热输运的物理和数学模型,进而使用数值模拟 大尺寸电阻加热式碳化硅晶体生长热场设计与优化 知乎
碳化硅精密陶瓷（高级陶瓷）京瓷 KYOCERA
氮化铝 金属陶瓷 莫来石 块滑石 镁橄榄石 蓝宝石基板 氧化铝陶瓷 氮化硅 加热器 LED有蓝宝石 介质谐振器 单晶片 蓝宝石 碳化硅 材料性质 (PDF/15MB) 目录表 (PDF) 可从丰富的材料及卓越的特性中任意选择，京 2020年8月14日 相信做这一行的都知道 碳化硅陶瓷 是一种很硬的材料，并且碳化硅具有良好的耐磨性，耐腐蚀性、耐高温、耐磨损、还有优异的化学稳定性能。 所以加工起来也是较为困难的吧。 前不久我们厂里接到了好几个加工碳化硅陶瓷的单子，加工起来特别难，还碎 有没有能加工碳化硅陶瓷的加工厂？ 知乎
碳化硅器件的优缺点有哪些？ 知乎
2023年12月4日 4 尺寸小：碳化硅器件相比其他晶体管器件来说，尺寸更小，具有更高的集成度和更小的空间需求。 5 长寿命：碳化硅器件具有较长的使用寿命，可实现长期稳定的工作。 碳化硅器件的缺点包括： 1 生产成本高：碳化硅器件的制造过程复杂，生产成本较高。2021年6月24日 编辑：Chris 6 月 22 日，蔚来 ET7 的首台 180 kW 碳化硅（SiC）电驱系统 C 样件在蔚来南京先进制造中心下线。 在汽车零件的开发中，C 样件意味着这已经是量产产线上下线的零件，用于最后的产品验证（Product VerificatIon）。 在这之后再经过 生产件批准程序 ， ET7 蔚来 180 kW 碳化硅电机 C 样件下线。如何评价蔚来电驱动
碳化硅陶瓷，SSiC\SiSiC\RBSiC\RSiC你分得清吗？ 知乎
2022年1月7日 辊道窑上的反应烧结碳化硅陶瓷辊 工艺简介： 采用一定颗粒级配的碳化硅（一般为1~10μm）与碳混和后成形素坯，然后在高温下进行渗硅反应，部分硅与碳反应生成SiC与原来坯体中的SiC结合，达到烧结目的。 渗硅的方法有2种，一种是温度达到硅的熔融 2020年1月15日 碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势与技术的难点 引言：碳化硅功率器件近年来越来越广泛应用于工业领域，受到大家的喜爱，不断地推陈出新，大量的更高电压等级、更大电流等级的产品相继推出，市场反应碳化硅元器件的效果非常好，但似乎对于碳化硅元 碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势与技术的难点 知乎
碳化硅(SiC)的前世今生！ 知乎
2021年3月13日 历史上人类次发现碳化硅是在1891年，美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物，这就是碳化硅首次合成和发现。 在经历了百年的探索之后，特别是进入21世纪以后，人类终于理清了碳化硅的优点和特性，并利用碳化硅特性，做出各种新器件 2023年1月28日 晶体生长和衬底制备本实验通过以自主研发的由c轴偏向方向4°的6英寸4HSiC衬底作为籽晶和扩径生长的起始点，采用物理气相传输(physical vapor transport, PVT)法进行扩径生长获得直径放大的SiC单晶。SiC碳化硅 8英寸4HNSiC衬底 知乎
碳化硅质耐火原料的矿物、物理、化学性质简述与技术条件
2019年11月29日 碳化硅有a和3两类晶型。B碳化硅是低温型碳化硅；a—碳化硅是高温型碳化硅。③碳化硅为等轴晶系矿物，折射率为263,密度3215g/cm#3 首发于 耐火材料技术问答 切换模式 写文章 登录/注册 碳化硅质耐火原料的矿物、物理、化学性质简述与技术 2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石 碳化硅百度百科
碳化硅陶瓷轴承材料 知乎
2023年2月28日 碳化硅全陶瓷轴承采用无压碳化硅陶瓷材料，保持器通常使用PTFE，相比氧化锆轴承和氮化硅材料，能够适用更极端的高温环境和强腐蚀性环境。与别的几个类型的相比较，碳化硅材料有下列优势：化学耐腐蚀性更强，硬度和耐磨性更高，摩擦更低，能够适用更高工作温度等。2018年8月21日 403米"大眼睛" 世界较大口径碳化硅单体反射镜研制2018 年 8 月 21 日，中科院长春光机所研制的 高精度大口径离轴 非球面反射镜的制造技术是高性能光学系统的核心关键技术，也是促进高分辨率空间对地观测、深空探测和天文观测等领域发展的 中科院完成目前世界上较大口径碳化硅单体反射镜研制，这一
碳化硅的多型性 物理学报
本文利用鉴定碳化硅多型体的“点间关系法”分析了一千一百多个碳化硅单晶体的劳埃照片。发现了61种碳化硅新多型体,其中六方晶胞c轴点阵常数较大的多型体1041R的点阵常数达26228?。至此碳化硅多型体的数目达110种,其中六方多型体30种,三方多型体80种。2022年6月15日 碳化硅(silicon carbide，SiC)作为第三代半导体材料，具有比硅(Si)更优越的性能。不仅禁带宽度较大，还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性，在高温、高频、高功率电力电子器件和射频器件中有独特的应用优势，使得其在轨道交通、新能源汽车 论文合集 SiC最新研究进展材料电子碳化硅
碳化硅功率器件发展、优势、分类及应用 知乎
2023年11月16日 碳化硅的发展可谓是正如火如图的进行着，碳化硅从原料混粉晶锭制作，晶圆、外延片、芯片组成器件。每一步都是十分关键，为了更详细的了解，从碳化硅的发展历程进行相关介绍，逐步展开。 一、碳化硅的过往发展史SiC2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用 三了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） 知乎
不同碳化硅晶面带来新的可能！晶体
2020年12月31日 对于各向异性的表示，会直接体现在不同晶面具有不同的性质。在晶体中，不同晶面是通过晶面指数的差异来表示的。 具体表示方法为：建立晶体的坐标系，这个晶面与坐标轴的截距会是a、b、c，接着取截距的倒数1/2021年12月7日 先说说这个首次搭载在量产车上的800V碳化硅平台： 这里先给大家简单解释一下。 从原理上看，功率=电压×电流，提升功率无非就两种办法：提升电压，或者提升电流。 又因为发热量Q=I²Rt，电流的提升 800V碳化硅平台终于量产，这是把充电技术练满级
调研 800V系列碳化硅专家会纪要 知乎
2021年12月7日 Q：目前包括DCDC、电控、OBC、充电桩的碳化硅需求量（比如die size 5*5来看（800V），每个模块大概需要多少个碳化硅芯片）？ 现在还没法去拆分，因为每个功率等级和选型方式是不一样的包括良品率也不一样，比如拆分以后40毫欧、30毫欧、20毫欧的选型方式是不一样的，拆分还是需要计算一下的。2023年11月12日 综合来看，国内碳化硅关键设备产业已经逐步发力，大部分设备类型都已有国产替代方案，在碳化硅产业爆发的情况下，未来碳化硅设备市场也将不断增大，预计此轮利好将持续23年，在此期间碳化硅设备需求将持续增长，将为国内设备厂商带来巨大的发展 2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇 知乎
半导体碳化硅（SIC）凭什么被称为第三代半导体最重要材料？
2023年12月5日 二、碳化硅器件的优势特性 碳化硅（SiC）是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，世界各国对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展 2022年7月11日 更适合于大尺寸碳化硅SiC晶体的生长，如：8英寸或更大尺寸。新技术平台部分功能： 【轴径分离】* 【新工艺】* 【温度闭环控制】* 【高精度压力控制】* 全尺寸（6英寸和8英寸） 紧凑热场设计，能耗大幅降低。 晶体生长工具包碳化硅8英寸时代，国产SiC电阻晶体生长炉量产！电子工程专辑
碳化硅衬底的半导体外延技术相关介绍 知乎
2023年11月14日 若想要将碳化硅衬底的性能优势较大化，需要在碳化硅衬底上生长出外延层。 碳化硅外延层就是在衬底的表面上生长出与衬底相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。 并且这个碳化硅片厚度也会根据功率器件的实际应用而有所不同。 因为在实际的应用 2023年5月14日 2立方碳化硅又名βSiC，属立方晶系，其晶体的等轴结构特点决定了该粉体具有比aSiC好的自然球度和自锐性，因而在精密研磨方面有更好的磨削和抛光效果，在材料，密封制品和军工制品生产时有更优异的密封特性，使其制品有更好的密度。beta碳化硅（立方碳化硅）与alpha SiC有什么区别？ 今天
晶盛机电:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件布局铸造
2023年7月17日 21 外延：应用于半导体与碳化硅 领域的外延生长薄膜 半导体外延是指硅片衬底上生长出单晶薄膜的过程。外延层与衬底具有相同的晶向， 可采用相同（同质外延）或不同（异质外延）的材料进行制作。高频大功率硅片制作需要 较小的饱和压降 2021年5月19日 通过大尺寸碳化硅晶体模型化研究，探索影响碳化硅晶体生长的因素。 同时通过对单轴压缩状态下在压缩方向上等效杨氏模量的分析，给出了碳化硅晶体压缩方向上的等效杨氏模量与偏离角以及温度的函数关系，并发现在温度1292 ° 中国科学院力学研究所机构知识库(IMECHIR): 大尺寸碳化硅
碳化硅行业发展现状如何？一文读懂碳化硅产量、良率
2022年9月6日 四、碳化硅产业现状 1、中国碳化硅产量分为黑碳化硅和绿碳化硅，2020年中国黑碳化硅产量为75万吨，绿碳化硅产量为105万吨，2021年中国黑碳化硅产量为90万吨，绿碳化硅为11万吨，产量相继上 2023年7月29日 该晶面被称为“Si面”，而在(0001) 晶面上，四面体键合的C原子的一个化学键是沿c轴() 指向的， 切换模式 写文章 登录/注册 碳化硅(SiC)如何区分硅(Si)面和碳（C)面 一生戎装 天津理工大学 工学硕士 4HSiC属于六方晶系，在(0001)晶面上 碳化硅(SiC)如何区分硅(Si)面和碳（C)面 知乎
晶体晶向和晶面指数系统 知乎
2021年1月29日 1 晶面指数系统一个晶面的取向可以由这个晶面上的任意三个不共线的点确定。如果这三个点处在不同的晶轴上，则通过由晶格常量 \vec a1，\vec a2，\vec a3 表示的这些点的坐标就能标定它们所决定的晶面。然而，2020年11月25日 碳化硅（SiC）电力电子器件将替代IGBT——这是英飞凌、罗姆等国际知名企业一致观点。 该观点获得了全球电驱动领域普遍认同。中国科学院院士欧阳明高曾表示，在驱动电机方面，碳化硅将取代IGBT。 继中车、比亚迪的让新能源汽车电机更小更轻的碳化硅，在中国发展情况怎么样
为什么要用4HSiC？ 知乎
2022年10月31日 从下表参数看，4H SiC 本征载流子浓度 和电子迁移率都比6H SiC高很多。 更高的电子迁移率un ，可以得到 更高的 电流密度 ，或者相同电流密度的情况下，得到 更低的 导通电阻 。 而且4H VDMOS的开关速度比6H SiC电压上升时间更短，因此 开关速度更快 ， 更适合做 2023年8月21日 补充知识：三重轴：晶体绕该轴旋转120度或240度后，晶体与自身重合。 二重轴：晶体绕该轴旋转180度后，晶体与自身重合。 六重轴：晶体绕该轴旋转60度或其整数倍后，晶体与自身重合。补充知识：单晶硅和多晶硅的禁带宽度分别是多少？半导体物理与器件笔记（一）——晶体结构 知乎
碳化硅在机械密封中的应用 知乎
2022年8月11日 碳化硅具有良好的化学稳定性，可以应用于各种腐蚀性强的酸碱性介质中，因此可用于腐蚀性介质的机械密封。腐蚀磨损是引起摩擦副材料失效的主要形式，热压烧结碳化硅在氧化气氛中表层生成一种保护性的二氧化硅膜，即使在900℃仍具有很好的化学稳定性，耐腐蚀性较强。2023年9月18日 800V碳化硅电轴 搭载先进 碳纤维转子电机 也将是上汽未来的动力技术支撑。从性能上来看，这种全新的动力系统电轴性能可以提升10%，可以将整车百公里加速时间缩短至3s以内。此外，通过使用碳纤维材料，电机转子的可靠性和寿命得到大幅度 上汽800V SIC电轴为什么值得关注？懂车帝
碳化硅：是“大饼”，还是下一个被卡的脖子 知乎
2023年1月18日 碳化硅：是“大饼”，还是下一个被卡的脖子 2018年，Tesla率先在自家Model 3的逆变器上，搭载了意法半导体提供的650V 碳化硅（SiC）MOSFET，开启了一众汽车厂商踊跃加入SiC大军的局面。 笔者当年也接触过SiC的相关项目，听一口操着台湾腔的口音，悉数碳化硅器件
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